Системы на кристалле со встроенными антеннами на наногетероструктурах А3В5

Введение
Глава 1. Малогабаритные встроенные антенны
сантиметрового и миллиметрового диапазонов длин
волн
1.1.Направления развития антенн диапазона 5 ГГц
с минимальным объемом
1.2. Обзор реализаций планарных встроенных
антенн диапазона 5 ГГц с минимальным объемом
1.3. Обзор реализаций встроенных антенн
диапазона 5 ГГц с излучателем-монополем
1.4. Интегрированные антенны на
наногетероструктурах арсенида галлия
1.5. Обзор реализаций планарных антенн Х-
диапазона с двумя слоями металлизации
1.6. Многослойные планарные антенны. Часть 1.
Типы, реализации, преимущества
1.7. Многослойные планарные антенны. Часть 2.
Обеспечение многочастотного режима круговой
или эллиптической поляризации излучения
1.8. Интегрированные антенны для использования
в системах на кристалле
Глава 2. Фотопроводящие материалы и
интегральные антенны на их основе для
терагерцевого диапазона частот
2.1. MHEMT с предельной частотой усиления по
мощностиfmax = 0,63 ТГц на основе
наногетероструктуры
In0,42Al0,58As/In0,42Ga0,58As/
In0,42Al0,58As/GaAs
2.2. Исследование малосигнальных и шумовых
характеристик метаморфных транзисторов для
монолитных интегральных схем в крайне
высокочастотном диапазоне
2.3. Разработка и исследование фотопроводящих
антенн на основе полупроводников группы А3В5,
выращенных при пониженных температурах
эпитаксиального роста
2.4. Разработка материалов и фотопроводящих
антенн на их основе для генерации и
детектирования импульсного и непрерывного
терагерцевого (ТГц) излучения
2.5. Терагерцевое излученте эпитаксиальных
низкотемпературных GaAs структур на подложках
GaAs (100)и(П1)А
Глава 3. Системы на кристалле со встроенными
антеннами
3.1. Перспективы создания систем на кристалле
для СВЧ- и КВЧ-диапазонов частот на арсениде
галлия
3.2. Перспективы замены арсенидных МИС на
нитридные
3.3. Технология сплавных и несплавных омических
контактов к гетероструктурам на основе GaN.
Обзор
3.4. Влияние параметров наногетероструктур и
технологии изготовления на шумовые свойства
AlGaN/GaN HEMT
3.5. Переход от сплавной к несплавной технологии
омических контактов при росте диапазона рабочих
частот СВЧ МИС на основе нитрида галлия.
3.6. Малошумящие усилители диапазона 60 ГГц.
Обзор мировых коммерческих разработок
3.7. Монолитная интегральная схема ГУН V-
диапазона
3.8. Монолитная интегральная схема усилителя со
встроенной антенной для пятимиллиметрового
диапазона длин волн
3.9. Технология изготовления и разработка
монолитных интегральных схем на основе нитрида
галлия
3.10. Разработка однокристальных
приемопередающих модулей V-диапазона на
нитриде галлия
3.11. СВЧ-технологии - основа электроники
будущего. Тенденции и рынки
Приложение А. Результаты интеллектуальной
деятельности ИСВЧПЭ РАН за 2010-2017 гг
Приложение Б. Усилители мощности и
малошумящие усилители для диапазона частот 8-
12 ГГц. Обзор
Б.1. Аналитический обзор современной научно-
технической литературы в области усилителей на
нитриде галлия
Б.2. Аналитический обзор по разработке
перспективных монолитных интегральных схем
МИС усилителей мощности и малошумящих
усилителей диапазона частот 8-12 ГГц
Приложение В. Усилители в монолитном исполнении
для диапазона частот 57-67 ГГц. Обзор
B.1. Патентные исследования в области
усилителей в монолитном исполнении мм-диапазона
длин волн
B.2. Схемотехнические, конструкторские решения
интегральных схем малошумящих усилителей мм-
диапазона длин волн
B.3. Реализация усилителей
B.4. Заключение
Приложение Г. Генераторы, управляемые
напряжением для диапазоначастот 57-67 ГГц.
Обзор
Г.1. Основная (аналитическая) часть. Генераторы,
управляемые напряжением мм-диапазона длин волн
Г.2. Развитие схемы генератора с одиночным
транзистором
Г.3. Развитие генераторов, управляемых
напряжением, построенных на двухтактных
дифференциальных схемах
Г.4. Примеры разработки генераторов,
управляемых напряжением
Г.5. Заключение
Приложение Д. Схемотехнические и
конструкторские решения для смесителей для
диапазона частот 57-67 ГГц. Обзор
Д.1. Принципы построения смесителей
Д.2. Схемотехника перемножителей
Д.3. Структуры двойных балансных смесителей на
основе перемножителей
Д.4. Реализация фазорасщепителей
Д.5. Реализация смесителей
Д.6. Заключение
Приложение Е. Радиоприемные устройства для
диапазона частот 57-67 ГГц. Обзор
Е.1. Развитие радиоприемных устройств мм-
диапазона длин волн
Приложение Ж. Стратегическая программа
исследований технологической платформы "СВЧ-
технологии"
Ж.1. Текущие тенденции развития рынков и
технологий в сфере деятельности платформы
Ж.2. Прогноз развития рынков и технологий в
сфере деятельности платформы.
Ж.3. Направления исследований и разработок,
наиболее перспективные для развития в рамках
платформы
Ж.4. Тематический план работ и проектов
платформы в сфере исследований и разработок
Ж.5. Мероприятия по коммерциализации
технологий и совершенствованию механизмов
управления правами на результаты
интеллектуальной деятельности
Ж.6. Меры в области подготовки и развития
научных и инженерно-технических кадров