Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
Красников Геннадий Яковлевич
Код товара: 4967052
(0 оценок)Оценить
ОтзывНаписать отзыв
ВопросЗадать вопрос
1 / 2
PDF
Издательство:
Год издания:
2011
Cерия:
Описание
Характеристики
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.
код в Майшоп
4967052
возрастная категория
18+ (нет данных)
количество томов
1
количество страниц
800 стр.
размеры
245x175x37 мм
ISBN
978-5-94836-289-2
тип бумаги
офсетная (60-220 г/м2)
цвет
Зелёный
вес
язык
Русский
переплёт
Твёрдый переплёт
Содержание
Перечень сокращений и условный обозначений
Предисловие
Введение
ГЛАВА 1. ПЕЧАТНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ДЛЯ КВАЗИ-
3D-ТЭУ
ГЛАВА 2. 3D-ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА ТЭУ
ГЛАВА 3. КВАЗИ 4D-ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА
ТЭУ
ГЛАВА 4. ТЕСТОВЫЕ ЗАДАНИЯ
Список использованной литературы
Предисловие
Введение
ГЛАВА 1. ПЕЧАТНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА ДЛЯ КВАЗИ-
3D-ТЭУ
ГЛАВА 2. 3D-ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА ТЭУ
ГЛАВА 3. КВАЗИ 4D-ТЕХНОЛОГИИ ПРОИЗВОДСТВА
ТЭУ
ГЛАВА 4. ТЕСТОВЫЕ ЗАДАНИЯ
Список использованной литературы
Отзывы
Вопросы
Поделитесь своим мнением об этом товаре с другими покупателями — будьте первыми!
Дарим бонусы за отзывы!
За какие отзывы можно получить бонусы?
- За уникальные, информативные отзывы, прошедшие модерацию
Как получить больше бонусов за отзыв?
- Публикуйте фото или видео к отзыву
- Пишите отзывы на товары с меткой "Бонусы за отзыв"
Задайте вопрос, чтобы узнать больше о товаре
Если вы обнаружили ошибку в описании товара «Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов» (авторы: Красников Геннадий Яковлевич), то выделите её мышкой и нажмите Ctrl+Enter. Спасибо, что помогаете нам стать лучше!